BRG25N120D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BRG25N120D  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BRG25N120D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BRG25N120D даташит

 ..1. Size:763K  blue-rocket-elect
 brg25n120d.pdf pdf_icon

BRG25N120D

BRG25N120D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

 ..2. Size:161K  foshan
 brg25n120d.pdf pdf_icon

BRG25N120D

BRG25N120D /INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR /Applications /General purpose inverter /Frequency converters /Induction Heating(IH) /Uninterrupted Power Supply(UPS) /Features /Low gate charge /Positive temperature coefficient /Lo

Другие IGBT... FGW50N60VD, FGW75N60H, FGW75N60HD, FGW85N60RB, 1MBH60-100, FGL40N120AN, BRG15N120D, BRG20N120D, RJP63K2DPP-M0, SSIG15N135H, SSIG20N135H, BT25T120ANF, BT15T120ANF, BT15N120ANF, BT40N60BNF, BT30N60ANF, BT50N60ANF