Справочник IGBT. BRG25N120D

 

BRG25N120D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BRG25N120D
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 87 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 177 nC
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

BRG25N120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:763K  blue-rocket-elect
 brg25n120d.pdf pdf_icon

BRG25N120D

BRG25N120D Rev.D Oct.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-3P Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package. / Features RoHS Low gate charge,, Low saturation voltage ,Positive temperature coefficient, RoHS product. / Applications

 ..2. Size:161K  foshan
 brg25n120d.pdf pdf_icon

BRG25N120D

BRG25N120D /INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR /Applications /General purpose inverter /Frequency converters /Induction Heating(IH) /Uninterrupted Power Supply(UPS) /Features /Low gate charge /Positive temperature coefficient /Lo

Другие IGBT... FGW50N60VD , FGW75N60H , FGW75N60HD , FGW85N60RB , 1MBH60-100 , FGL40N120AN , BRG15N120D , BRG20N120D , RJP63K2DPP-M0 , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF .

History: OST75N65HSMF | TGAN20N120FD | SGT60U65FD1PN | SGM40HF12A1TFD | APT15GP90BG | SGTP5T60SD1S

 

 
Back to Top

 


 
.