BT30N60ANF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT30N60ANF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 140 pF

Encapsulados: TO3P

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BT30N60ANF datasheet

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BT30N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT30N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features FS Planar Technology, Positive temperature

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BT30N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT30N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features FS Planar Technology, Positive temperature

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