BT30N60ANF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: BT30N60ANF

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 312

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 36

Емкость коллектора (Cc), pf: 140

Корпус: TO3PN

Аналог (замена) для BT30N60ANF

BT30N60ANF PDF doc:

1.1. bt30n60anf.pdf Size:103K _igbt_a

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features： FS Planar Technology, Positive temperature

1.2. bt30n60anf.pdf Size:105K _crhj

Silicon FS Planar IGBT R ○ BT30N60ANF General Description： VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Planar design and advanced FS IC 30 A technology, the 600V FSIGBT offers superior conduction and switching Ptot （TC=25℃） 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 2.0 V Features： FS Planar Technology, Positive temperature

Другие IGBT... BRG20N120D , BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , RJP30H1DPD , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P .