BT50N60ANF Todos los transistores

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BT50N60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BT50N60ANF

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 312

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vcesat): 2.5

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 49

Capacitancia de salida (Cc), pF: 175

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

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Silicon FS Planar IGBT R ○ BT50N60ANF General Description: VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25℃) 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features: FS Trench Technology, Positive temperature c

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