BT50N60ANF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BT50N60ANF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 312 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 49 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 175 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 145 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de BT50N60ANF IGBT
BT50N60ANF Datasheet (PDF)
bt50n60anf.pdf
Silicon FS Planar IGBT R BT50N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features FS Trench Technology, Positive temperature c
bt50n60anf.pdf
Silicon FS Planar IGBT R BT50N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features FS Trench Technology, Positive temperature c
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Liste
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