BT50N60ANF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BT50N60ANF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BT50N60ANF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT50N60ANF даташит

 ..1. Size:106K  crhj
 bt50n60anf.pdf pdf_icon

BT50N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT50N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features FS Trench Technology, Positive temperature c

 ..2. Size:105K  wuxi china
 bt50n60anf.pdf pdf_icon

BT50N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT50N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features FS Trench Technology, Positive temperature c

Другие IGBT... BRG25N120D, SSIG15N135H, SSIG20N135H, BT25T120ANF, BT15T120ANF, BT15N120ANF, BT40N60BNF, BT30N60ANF, IXGH60N60, BT15N60A9F, AP25G45EM, AP25G45GEM, AP28G45GEM, AP20G45EH, AP20G45EJ, TGPF30N40P, TGPF30N43P