Справочник IGBT. BT50N60ANF

 

BT50N60ANF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BT50N60ANF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 175 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 145 nC
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для BT50N60ANF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BT50N60ANF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  crhj
 bt50n60anf.pdf pdf_icon

BT50N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT50N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features FS Trench Technology, Positive temperature c

 ..2. Size:105K  wuxi china
 bt50n60anf.pdf pdf_icon

BT50N60ANF

Silicon FS Planar IGBT R BT50N60ANF General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary Trench design and advanced FS IC 50 A technology, the 600V FS IGBT offers superior conduction and switching Ptot TC=25 312 W performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. VCE(SAT) 1.7 V Features FS Trench Technology, Positive temperature c

Другие IGBT... BRG25N120D , SSIG15N135H , SSIG20N135H , BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , RJP30H2A , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P .

 

 
Back to Top

 


 
.