AP25G45EM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP25G45EM
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 6 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24.5 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de AP25G45EM IGBT
AP25G45EM Datasheet (PDF)
ap25g45em.pdf
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Liste
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