AP25G45EM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AP25G45EM  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24.5 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AP25G45EM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP25G45EM даташит

 ..1. Size:67K  ape
 ap25g45em.pdf pdf_icon

AP25G45EM

AP25G45EM Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 150A C C 4.5V Gate Drive C C Strobe Flash Applications C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emi

 7.1. Size:67K  ape
 ap25g45gem.pdf pdf_icon

AP25G45EM

AP25G45GEM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 150A C C 4.5V Gate Drive C C Strobe Flash Applications C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

 9.1. Size:2013K  cn apm
 ap25g02nf.pdf pdf_icon

AP25G45EM

AP25G02NF 20V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25G02NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =32A DS D R

 9.2. Size:1571K  cn apm
 ap25g03gd.pdf pdf_icon

AP25G45EM

AP25G03GD 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP25G03GD uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =25A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSIG20N135H, BT25T120ANF, BT15T120ANF, BT15N120ANF, BT40N60BNF, BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F, GT50JR22, AP25G45GEM, AP28G45GEM, AP20G45EH, AP20G45EJ, TGPF30N40P, TGPF30N43P, CPV362M4FPBF, CPV362M4UPBF