AP25G45GEM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AP25G45GEM
   Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2.5 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150(pulse) A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1.2 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 24.5 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 64.5 nC
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros