AP25G45GEM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AP25G45GEM
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 24.5 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
Тип корпуса: SO8
AP25G45GEM Datasheet (PDF)
Другие IGBT... BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , FGH60N60SMD , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2