AP25G45GEM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AP25G45GEM
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 2.5
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 450
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 6
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150(pulse)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 1.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 24.5
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 64.5
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP25G45GEM
AP25G45GEM Datasheet (PDF)
ap25g45gem.pdf
AP25G45GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORHigh Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 150A CC4.5V Gate Drive CCStrobe Flash Applications C GGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating
ap25g45em.pdf
AP25G45EMAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORHigh Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 150A CC4.5V Gate Drive CCStrobe Flash Applications C GGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emi
Другие IGBT... BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , RJP63F3DPP-M0 , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB