AP25G45GEM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: AP25G45GEM
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24.5 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 64.5 nC
   Тип корпуса: SO8
     - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам