AP25G45GEM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: AP25G45GEM
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 2.5
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 450
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 6
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 150(pulse)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 1.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 24.5
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 64.5
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP25G45GEM

 

 

AP25G45GEM Datasheet (PDF)

Другие IGBT... BT25T120ANF , BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , RJP63F3DPP-M0 , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF .