AP28G45GEM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP28G45GEM
Tipo de transistor: IGBT + Built-in Zener Diodes
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2.5 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 450 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 6 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 130(pulse) A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 1 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 220 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 74 nC
Paquete / Cubierta: SO8
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AP28G45GEM Datasheet (PDF)
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Liste
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