Справочник IGBT. AP28G45GEM

 

AP28G45GEM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP28G45GEM
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 2.5
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 450
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 6
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 130(pulse)
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 3.8
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 1
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 100
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 220
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 74
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP28G45GEM

 

 

AP28G45GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
 ap28g45gem.pdf

AP28G45GEM AP28G45GEM

AP28G45GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORHigh Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 130A CC 3.3V Gate DriveCCStrobe Flash Applications C GGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating

 5.1. Size:93K  ape
 ap28g45geo-hf.pdf

AP28G45GEM AP28G45GEM

AP28G45GEO-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V High Peak Current Capability E ICP 150AEEG Low Gate Drive Strobe Flash Applications CCCCTSSOP-8GCEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPeak Gate-

 8.1. Size:56K  ape
 ap28g40gem-hf.pdf

AP28G45GEM AP28G45GEM

AP28G40GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400VCC High Peak Current Capability C ICP 150AC Low Gate DriveG Strobe Flash Applications CEEGE RoHS Compliant & Halogen-Free SO-8EAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter V

 8.2. Size:94K  ape
 ap28g40geo.pdf

AP28G45GEM AP28G45GEM

AP28G40GEORoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400VC High Peak Current Capability ICP 150ACCC Low Gate Drive Strobe Flash Applications CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E

Другие IGBT... BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , SGT40N60NPFDPN , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF .

 

 
Back to Top