Справочник IGBT. AP28G45GEM

 

AP28G45GEM - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP28G45GEM
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 74 nC
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP28G45GEM

 

 

AP28G45GEM Datasheet (PDF)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , RJP30E2DPP-M0 , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF .