AP28G45GEM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AP28G45GEM  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AP28G45GEM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP28G45GEM даташит

 ..1. Size:70K  ape
 ap28g45gem.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G45GEM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 130A C C 3.3V Gate Drive C C Strobe Flash Applications C G G E E SO-8 E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating

 5.1. Size:93K  ape
 ap28g45geo-hf.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G45GEO-HF RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V High Peak Current Capability E ICP 150A E E G Low Gate Drive Strobe Flash Applications C C C C TSSOP-8 G C E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter Voltage 400 V VGE Peak Gate-

 8.1. Size:56K  ape
 ap28g40gem-hf.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G40GEM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V C C High Peak Current Capability C ICP 150A C Low Gate Drive G Strobe Flash Applications C E E G E RoHS Compliant & Halogen-Free SO-8 E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter V

 8.2. Size:94K  ape
 ap28g40geo.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G40GEO RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V C High Peak Current Capability ICP 150A C C C Low Gate Drive Strobe Flash Applications C G E E TSSOP-8 G E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCE Collector-Emitter Voltage 400 V VGEP Peak Gate-E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BT15T120ANF, BT15N120ANF, BT40N60BNF, BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F, AP25G45EM, AP25G45GEM, G50T65D, AP20G45EH, AP20G45EJ, TGPF30N40P, TGPF30N43P, CPV362M4FPBF, CPV362M4UPBF, CPV364M4UPBF, CPV364M4FPBF