Справочник IGBT. AP28G45GEM

 

AP28G45GEM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP28G45GEM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 450 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 130(pulse) A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 220 pF
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP28G45GEM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP28G45GEM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  ape
 ap28g45gem.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G45GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORHigh Input Impedance VCE 450V High Pick Current Capability ICP 130A CC 3.3V Gate DriveCCStrobe Flash Applications C GGEESO-8EEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating

 5.1. Size:93K  ape
 ap28g45geo-hf.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G45GEO-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400V High Peak Current Capability E ICP 150AEEG Low Gate Drive Strobe Flash Applications CCCCTSSOP-8GCEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPeak Gate-

 8.1. Size:56K  ape
 ap28g40gem-hf.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G40GEM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400VCC High Peak Current Capability C ICP 150AC Low Gate DriveG Strobe Flash Applications CEEGE RoHS Compliant & Halogen-Free SO-8EAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter V

 8.2. Size:94K  ape
 ap28g40geo.pdf pdf_icon

AP28G45GEM

AP28G40GEORoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR High Input Impedance VCE 400VC High Peak Current Capability ICP 150ACCC Low Gate Drive Strobe Flash Applications CGEETSSOP-8GEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCECollector-Emitter Voltage 400 VVGEPPeak Gate-E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BT15T120ANF , BT15N120ANF , BT40N60BNF , BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , RJP30E2DPP-M0 , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF .

History: IHW30N90R

 

 
Back to Top

 


 
.