TGPF30N40P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGPF30N40P
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20.8 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 26 nC
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de TGPF30N40P - IGBT
TGPF30N40P Datasheet (PDF)
tgpf30n40p.pdf
TGPF30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4
tgpf30n43p.pdf
TGPF30N43P Features: 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4
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Liste
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