TGPF30N40P Todos los transistores

 

TGPF30N40P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TGPF30N40P

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20.8

Tensión colector-emisor (Vce): 400

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.4

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 60

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 105

Capacitancia de salida (Cc), pF: 50

Empaquetado / Estuche: TO220F

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TGPF30N40P Datasheet (PDF)

..1. tgpf30n40p.pdf Size:922K _trinnotech

TGPF30N40P TGPF30N40P

TGPF30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4

6.1. tgpf30n43p.pdf Size:922K _trinnotech

TGPF30N40P TGPF30N40P

TGPF30N43P Features: 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4

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