Справочник IGBT. TGPF30N40P

 

TGPF30N40P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGPF30N40P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

TGPF30N40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n40p.pdf pdf_icon

TGPF30N40P

TGPF30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4

 6.1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n43p.pdf pdf_icon

TGPF30N40P

TGPF30N43P Features: 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4

Другие IGBT... BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , RJP30H1DPD , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 .

History: MMG50A120B7HN | CPV364M4KPBF | IRG4PC30U | SSG55N60M | OST80N65HMF | OST75N65HSXF

 

 
Back to Top

 


 
.