Справочник IGBT. TGPF30N40P

 

TGPF30N40P - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGPF30N40P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 20.8
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 105
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 26
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для TGPF30N40P

 

 

TGPF30N40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n40p.pdf

TGPF30N40P TGPF30N40P

TGPF30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4

 6.1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n43p.pdf

TGPF30N40P TGPF30N40P

TGPF30N43P Features: 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4

Другие IGBT... BT30N60ANF , BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , RJP30H1DPD , TGPF30N43P , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 .

 

 
Back to Top