TGPF30N40P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TGPF30N40P  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TGPF30N40P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGPF30N40P даташит

 ..1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n40p.pdf pdf_icon

TGPF30N40P

TGPF30N40P Features 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4

 6.1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n43p.pdf pdf_icon

TGPF30N40P

TGPF30N43P Features 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4

Другие IGBT... BT30N60ANF, BT50N60ANF, BT15N60A9F, AP25G45EM, AP25G45GEM, AP28G45GEM, AP20G45EH, AP20G45EJ, RJP30H2A, TGPF30N43P, CPV362M4FPBF, CPV362M4UPBF, CPV364M4UPBF, CPV364M4FPBF, CPV364M4KPBF, IRGSL4B60K, NGTB15N60S1