TGPF30N43P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGPF30N43P 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 20.8 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 430 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 50 pF
Encapsulados: TO220F
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Búsqueda de reemplazo de TGPF30N43P IGBT
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TGPF30N43P datasheet
tgpf30n43p.pdf
TGPF30N43P Features 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4
tgpf30n40p.pdf
TGPF30N40P Features 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4
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