TGPF30N43P Todos los transistores

 

TGPF30N43P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TGPF30N43P
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 20.8
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 430
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 60
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.4
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 105
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 50
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 26
   Paquete / Cubierta: TO220F

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TGPF30N43P Datasheet (PDF)

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TGPF30N43P TGPF30N43P

TGPF30N43P Features: 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4

 6.1. Size:922K  trinnotech
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TGPF30N43P TGPF30N43P

TGPF30N40P Features: 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications : Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4

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