TGPF30N43P - аналоги и описание IGBT

 

TGPF30N43P - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TGPF30N43P

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 430 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 26 nC

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для TGPF30N43P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGPF30N43P даташит

 ..1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n43p.pdf pdf_icon

TGPF30N43P

TGPF30N43P Features 430V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N43P TO-220F Tube TGPF30N4

 6.1. Size:922K  trinnotech
 tgpf30n40p.pdf pdf_icon

TGPF30N43P

TGPF30N40P Features 400V Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss C Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification G C E Applications Plasma Display Panel, Soft switching application, Ordering Part Number Package Packaging type Marking Remark TGPF30N40P TO-220F Tube TGPF30N4

Другие IGBT... BT50N60ANF , BT15N60A9F , AP25G45EM , AP25G45GEM , AP28G45GEM , AP20G45EH , AP20G45EJ , TGPF30N40P , RJP30E2DPP-M0 , CPV362M4FPBF , CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.