IXYY8N90C3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYY8N90C3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 120 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 24 pF

Encapsulados: TO252

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IXYY8N90C3 datasheet

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IXYY8N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYY8N90C3 GenX3TM IC110 = 8A IXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-252 (IXYY) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V TO-220 (IXYP) VG

Otros transistores... CPV362M4UPBF, CPV364M4UPBF, CPV364M4FPBF, CPV364M4KPBF, IRGSL4B60K, NGTB15N60S1, NGTG15N60S1, NGTB15N60EG, SGT60N60FD1P7, STGP19NC60K, AP05G120SW-HF, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, CI15T60, MMIX4B12N300