IXYY8N90C3 Todos los transistores

 

IXYY8N90C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYY8N90C3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 120
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 900
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 24
   Paquete / Cubierta: TO252

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IXYY8N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
ixyy8n90c3.pdf

IXYY8N90C3
IXYY8N90C3

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYY8N90C3GenX3TM IC110 = 8AIXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-252 (IXYY)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 VTO-220 (IXYP)VG

Otros transistores... CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , CRG40T60AN3H , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 .

 

 
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