IXYY8N90C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYY8N90C3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 120

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 900

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 20

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 24

Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de IXYY8N90C3 - IGBT

IXYY8N90C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  ixys
 ixyy8n90c3.pdf

Advance Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYY8N90C3GenX3TM IC110 = 8AIXYP8N90C3 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-252 (IXYY)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 VTO-220 (IXYP)VG

Otros transistores... CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , TGD30N40P , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 .