Справочник IGBT. IXYY8N90C3

 

IXYY8N90C3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXYY8N90C3

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 20

Емкость коллектора (Cc), pf: 24

Корпус: TO251

Аналог (замена) для IXYY8N90C3  

 

IXYY8N90C3 Datasheet (PDF)

1.1. ixyy8n90c3.pdf Size:178K _igbt_a

IXYY8N90C3
IXYY8N90C3

Advance Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYY8N90C3 GenX3TM IC110 = 8A IXYP8N90C3 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 2.5V ≤ ≤ tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-252 (IXYY) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25°C to 175°C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ 900 V VGES Continuous ±20 V TO-220 (IXYP) VG

Другие IGBT... CPV362M4UPBF , CPV364M4UPBF , CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IRG4PC50W , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 .

 

 
Back to Top

 


IXYY8N90C3
  IXYY8N90C3
  IXYY8N90C3
  IXYY8N90C3
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 

 

 

 
Back to Top