AP05G120SW-HF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP05G120SW-HF  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF

Encapsulados: TO3P

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AP05G120SW-HF datasheet

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AP05G120SW-HF

AP05G120SW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5A VCE(sat)=2.3V@IC=5A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant & Halogen-Free E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter

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AP05G120SW-HF

AP05G120NSW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-Free G C TO-3P E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGE Gate-Emitter Voltage +30 V IC@TC=25 Col

Otros transistores... CPV364M4FPBF, CPV364M4KPBF, IRGSL4B60K, NGTB15N60S1, NGTG15N60S1, NGTB15N60EG, IXYY8N90C3, STGP19NC60K, SGT60N60FD1P7, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, CI15T60, MMIX4B12N300, NGD8205A, IXYA8N90C3D1