AP05G120SW-HF Todos los transistores

 

AP05G120SW-HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP05G120SW-HF
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 125
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 21
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 7
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 13
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 65
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 33
   Paquete / Cubierta: TO3P

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AP05G120SW-HF Datasheet (PDF)

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AP05G120SW-HF
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AP05G120SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5AVCE(sat)=2.3V@IC=5AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

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AP05G120SW-HF
AP05G120SW-HF

AP05G120NSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-FreeGCTO-3PEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VVGE Gate-Emitter Voltage +30 VIC@TC=25 Col

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