AP05G120SW-HF - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP05G120SW-HF
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 21 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 13 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 65 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 33 nC
Paquete / Cubierta: TO3P
- Selección de transistores por parámetros
AP05G120SW-HF Datasheet (PDF)
ap05g120sw-hf.pdf
AP05G120SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5AVCE(sat)=2.3V@IC=5AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter
ap05g120nsw-hf.pdf
AP05G120NSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-FreeGCTO-3PEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VVGE Gate-Emitter Voltage +30 VIC@TC=25 Col
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History: AP30G120CSW-HF | SGTP5T60SD1F
History: AP30G120CSW-HF | SGTP5T60SD1F
Liste
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