AP05G120SW-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AP05G120SW-HF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AP05G120SW-HF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP05G120SW-HF даташит

 ..1. Size:62K  ape
 ap05g120sw-hf.pdf pdf_icon

AP05G120SW-HF

AP05G120SW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5A VCE(sat)=2.3V@IC=5A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant & Halogen-Free E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter

 6.1. Size:62K  ape
 ap05g120nsw-hf.pdf pdf_icon

AP05G120SW-HF

AP05G120NSW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-Free G C TO-3P E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGE Gate-Emitter Voltage +30 V IC@TC=25 Col

Другие IGBT... CPV364M4FPBF, CPV364M4KPBF, IRGSL4B60K, NGTB15N60S1, NGTG15N60S1, NGTB15N60EG, IXYY8N90C3, STGP19NC60K, SGT60N60FD1P7, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, CI15T60, MMIX4B12N300, NGD8205A, IXYA8N90C3D1