Справочник IGBT. AP05G120SW-HF

 

AP05G120SW-HF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP05G120SW-HF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 21
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 13
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 65
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 33
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для AP05G120SW-HF

 

 

AP05G120SW-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  ape
 ap05g120sw-hf.pdf

AP05G120SW-HF AP05G120SW-HF

AP05G120SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5AVCE(sat)=2.3V@IC=5AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

 6.1. Size:62K  ape
 ap05g120nsw-hf.pdf

AP05G120SW-HF AP05G120SW-HF

AP05G120NSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-FreeGCTO-3PEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VVGE Gate-Emitter Voltage +30 VIC@TC=25 Col

Другие IGBT... CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , RJH30E2DPP , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 .

 

 
Back to Top