AP05G120SW-HF - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

AP05G120SW-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: AP05G120SW-HF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для AP05G120SW-HF

 

AP05G120SW-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  ape
 ap05g120sw-hf.pdf pdf_icon

AP05G120SW-HF

AP05G120SW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5A VCE(sat)=2.3V@IC=5A C CO-PAK, IGBT With FRD G C TO-3P G RoHS Compliant & Halogen-Free E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter

 6.1. Size:62K  ape
 ap05g120nsw-hf.pdf pdf_icon

AP05G120SW-HF

AP05G120NSW-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD. Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-Free G C TO-3P E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V VGE Gate-Emitter Voltage +30 V IC@TC=25 Col

Другие IGBT... CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , IRG7IC28U , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.