Справочник IGBT. AP05G120SW-HF

 

AP05G120SW-HF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AP05G120SW-HF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для AP05G120SW-HF

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP05G120SW-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  ape
 ap05g120sw-hf.pdf pdf_icon

AP05G120SW-HF

AP05G120SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features High Speed Switching VCES 1200V Low Saturation Voltage IC 10.5AVCE(sat)=2.3V@IC=5AC CO-PAK, IGBT With FRD GCTO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter

 6.1. Size:62K  ape
 ap05g120nsw-hf.pdf pdf_icon

AP05G120SW-HF

AP05G120NSW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR WITH FRD.Features VCES 1200V High Speed Switching IC 10.5A NPT Technology RoHS Compliant & Halogen-FreeGCTO-3PEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VVGE Gate-Emitter Voltage +30 VIC@TC=25 Col

Другие IGBT... CPV364M4FPBF , CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , IRGP4063D , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 .

 

 
Back to Top

 


 
.