TSG10N120CN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSG10N120CN

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 125

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 21

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 13

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 65

Paquete / Cubierta: TO247

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TSG10N120CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsg10n120cn.pdf

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 8.1. Size:481K  cn wuxi unigroup
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TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , DG40F12T2 , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 .