TSG10N120CN - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSG10N120CN
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 125
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 21
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.3
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 13
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 65
Paquete / Cubierta: TO247
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TSG10N120CN Datasheet (PDF)
tsg10n120cn.pdf

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.
tsg10n06at.pdf

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , DG40F12T2 , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 .



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