TSG10N120CN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: TSG10N120CN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 21

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150

Время нарастания типовое (tr), nS: 13

Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 65

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для TSG10N120CN

TSG10N120CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsg10n120cn.pdf

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 8.1. Size:481K  cn wuxi unigroup
 tsg10n06at.pdf

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , DG40F12T2 , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 .