Справочник IGBT. TSG10N120CN

 

TSG10N120CN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TSG10N120CN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 21
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 13
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 65
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для TSG10N120CN

 

 

TSG10N120CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
tsg10n120cn.pdf

TSG10N120CN
TSG10N120CN

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 8.1. Size:481K  cn wuxi unigroup
tsg10n06at.pdf

TSG10N120CN
TSG10N120CN

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , SGT50T65FD1PN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 .

 

 
Back to Top