Справочник IGBT. TSG10N120CN

 

TSG10N120CN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: TSG10N120CN

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 21

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 13

Емкость коллектора (Cc), pf: 65

Корпус: TO247

Аналог (замена) для TSG10N120CN  

 

TSG10N120CN Datasheet (PDF)

1.1. tsg10n120cn.pdf Size:341K _igbt

TSG10N120CN
TSG10N120CN

 TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 ±30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

Другие IGBT... CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , FGPF4536 , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 .

 

 
Back to Top

 


TSG10N120CN
  TSG10N120CN
  TSG10N120CN
  TSG10N120CN
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 

 

 

 
Back to Top