Справочник IGBT. TSG10N120CN

 

TSG10N120CN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TSG10N120CN
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 33 nC
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для TSG10N120CN

 

 

TSG10N120CN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsg10n120cn.pdf

TSG10N120CN TSG10N120CN

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 8.1. Size:481K  cn wuxi unigroup
 tsg10n06at.pdf

TSG10N120CN TSG10N120CN

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... CPV364M4KPBF , IRGSL4B60K , NGTB15N60S1 , NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , MBQ50T65FDSC , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 .

History: NGTG15N60S1 | RJP60F0DPM

 

 
Back to Top