TSG10N120CN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TSG10N120CN  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TSG10N120CN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TSG10N120CN даташит

 ..1. Size:341K  taiwansemi
 tsg10n120cn.pdf pdf_icon

TSG10N120CN

TSG10N120CN N-Channel IGBT with FRD. TO-3P Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate 2. Collector VCES (V) VGES (V) IC (A) 3. Emitter 1200 30 10.5 General Description The TSG10N120CN using proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation.

 8.1. Size:481K  cn wuxi unigroup
 tsg10n06at.pdf pdf_icon

TSG10N120CN

TSG10N06AT Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd. 60V N-Channel DTMOS Product Summary Features Trench Power DTMOS Technology VDS 60V Low RDS(ON) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... CPV364M4KPBF, IRGSL4B60K, NGTB15N60S1, NGTG15N60S1, NGTB15N60EG, IXYY8N90C3, STGP19NC60K, AP05G120SW-HF, SGT40N60FD2PN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, CI15T60, MMIX4B12N300, NGD8205A, IXYA8N90C3D1, IXYP8N90C3D1