AP20GT60W Todos los transistores

 

AP20GT60W - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP20GT60W
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 75 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 100 nC
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

 Búsqueda de reemplazo de AP20GT60W IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AP20GT60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  ape
ap20gt60w.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20ACG RoHS Compliant ProductGCTO-3PEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Voltag

 6.1. Size:59K  ape
ap20gt60p-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 20AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.8V@IC=20AC RoHS Compliant & Halogen-FreeGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCESCollector-Emitter Voltage 600 VVGEGate-Emi

 6.2. Size:95K  ape
ap20gt60asp-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60ASP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600V High Speed Switching IC 19AG Low Saturation VoltageTO-220(P)CEVCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A C RoHS Compliant ProductGEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vol

 6.3. Size:60K  ape
ap20gt60sw.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60SWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 20A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=1.8V@IC=20A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter V

Otros transistores... NGTG15N60S1 , NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , FGH60N60SFD , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG .

 

 
Back to Top

 


AP20GT60W
  AP20GT60W
  AP20GT60W
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet

 


 
.