AP20GT60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: AP20GT60W  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 75 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для AP20GT60W

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AP20GT60W даташит

 ..1. Size:92K  ape
 ap20gt60w.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V C High Speed Switching IC 20A Low Saturation Voltage VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20A C G RoHS Compliant Product G C TO-3P E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emitter Voltag

 6.1. Size:59K  ape
 ap20gt60p-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60P-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V High Speed Switching IC 20A G Low Saturation Voltage TO-220(P) C E VCE(sat),typ.=1.8V@IC=20A C RoHS Compliant & Halogen-Free G E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emi

 6.2. Size:95K  ape
 ap20gt60asp-hf.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60ASP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V High Speed Switching IC 19A G Low Saturation Voltage TO-220(P) C E VCE(sat),typ.=1.7V@IC=19A C RoHS Compliant Product G E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emitter Vol

 6.3. Size:60K  ape
 ap20gt60sw.pdf pdf_icon

AP20GT60W

AP20GT60SW RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL INSULATED GATE Electronics Corp. BIPOLAR TRANSISTOR Features VCES 600V C High Speed Switching IC 20A Low Saturation Voltage VCE(sat),Typ.=1.8V@IC=20A C G Built-in Fast Recovery Diode C TO-3P G E E Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGE Gate-Emitter V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NGTG15N60S1, NGTB15N60EG, IXYY8N90C3, STGP19NC60K, AP05G120SW-HF, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, IRG7R313U, CI15T60, MMIX4B12N300, NGD8205A, IXYA8N90C3D1, IXYP8N90C3D1, APT20GN60BG, APT20GN60KG, APT20GN60SG