CI15T60 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CI15T60

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Máxima potencia disipada (Pc), W: 125

Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600

Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20

Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30

Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.65

Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150

Tiempo de subida (tr), typ, nS: 20

Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 74

Paquete / Cubierta: TO220AB

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CI15T60 Datasheet (PDF)

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CI15T6015A600V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-220AB Short collector time-5us. High current capability.0.420(10.66)0.197(5.0)MAX High input impedance.0.386(9.80)0.055(1.40) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.65@25OC.0.043(1.10) Fast switching : 20KHz ~ 40KHz(Ta = 25OC)

Otros transistores... NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , IRGB4062D , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 .