CI15T60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CI15T60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 74 pF

Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для CI15T60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CI15T60 даташит

 ..1. Size:476K  citcorp
 ci15t60.pdf pdf_icon

CI15T60

CI15T60 15A600V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-220AB Short collector time-5us. High current capability. 0.420(10.66) 0.197(5.0)MAX High input impedance. 0.386(9.80) 0.055(1.40) Low saturation voltage VCE(sat) = 1.65@25OC. 0.043(1.10) Fast switching 20KHz 40KHz(Ta = 25OC)

Другие IGBT... NGTB15N60EG, IXYY8N90C3, STGP19NC60K, AP05G120SW-HF, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, GT30G124, MMIX4B12N300, NGD8205A, IXYA8N90C3D1, IXYP8N90C3D1, APT20GN60BG, APT20GN60KG, APT20GN60SG, AOK20B60D1