CI15T60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CI15T60
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.65
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 74
Тип корпуса: TO220AB
CI15T60 Datasheet (PDF)
ci15t60.pdf

CI15T6015A600V Field Stop Trench IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-220AB Short collector time-5us. High current capability.0.420(10.66)0.197(5.0)MAX High input impedance.0.386(9.80)0.055(1.40) Low saturation voltage : VCE(sat) = 1.65@25OC.0.043(1.10) Fast switching : 20KHz ~ 40KHz(Ta = 25OC)
Другие IGBT... NGTB15N60EG , IXYY8N90C3 , STGP19NC60K , AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , IRGB4062D , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JNG8T60FT1 | JNG80T60LS | JNG75T65HYU2 | JNG75T65HXU1 | JNG75T120QZU1 | JNG75T120QS1 | JNG75T120LS | JNG60T60HS | JNG5T65DS1 | JNG50N120QS1 | JNG50N120QFU1