IXYA8N90C3D1 Todos los transistores

 

IXYA8N90C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYA8N90C3D1

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125

Tensión colector-emisor (Vce): 900

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.15

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 20

Capacitancia de salida (Cc), pF: 30

Empaquetado / Estuche: TO263

Búsqueda de reemplazo de IXYA8N90C3D1 - IGBT

 

IXYA8N90C3D1 Datasheet (PDF)

..1. ixya8n90c3d1.pdf Size:336K _ixys

IXYA8N90C3D1 IXYA8N90C3D1

Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , TGPF30N43P , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


IXYA8N90C3D1
  IXYA8N90C3D1
  IXYA8N90C3D1
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores

IGBT: CI20T120P | 2M410G | 2M410V1 | 2M410V | 2M410B1 | 2M410B | 2M410A | JT015N065FED | FGA25S125P | MMGTU75J120U | MMGT75WD120XB6C

 

 

 
Back to Top

 

Order TRANSISTORS