IXYA8N90C3D1 Todos los transistores

 

IXYA8N90C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYA8N90C3D1

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125

Tensión colector-emisor (Vce): 900

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.15

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 20

Capacitancia de salida (Cc), pF: 30

Empaquetado / Estuche: TO263

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IXYA8N90C3D1 Datasheet (PDF)

1.1. ixya8n90c3d1.pdf Size:336K _ixys

IXYA8N90C3D1
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Preliminary Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYA8N90C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 8A IXYP8N90C3D1 ≤ ≤ VCE(sat) ≤ 2.5V ≤ ≤ tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25°C to 175°C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1MΩ 900 V VGES Continuous ±20 V

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXGR32N60CD1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
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