IXYA8N90C3D1 Todos los transistores

 

IXYA8N90C3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYA8N90C3D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 900 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 30 pF

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de IXYA8N90C3D1 IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXYA8N90C3D1 datasheet

 ..1. Size:336K  ixys
 ixya8n90c3d1.pdf pdf_icon

IXYA8N90C3D1

Preliminary Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYA8N90C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 8A IXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.