IXYA8N90C3D1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXYA8N90C3D1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXYA8N90C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYA8N90C3D1 даташит

 ..1. Size:336K  ixys
 ixya8n90c3d1.pdf pdf_icon

IXYA8N90C3D1

Preliminary Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYA8N90C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 8A IXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V

Другие IGBT... AP05G120SW-HF, TSG10N120CN, AP05G120NSW-HF, AP20GT60SW, AP20GT60W, CI15T60, MMIX4B12N300, NGD8205A, IHW20N135R5, IXYP8N90C3D1, APT20GN60BG, APT20GN60KG, APT20GN60SG, AOK20B60D1, F3L30R06W1E3_B11, WGW15G120N, WGW15G120W