IXYA8N90C3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXYA8N90C3D1
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20
Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20
Максимальная температура перехода (Tj): 175
Время нарастания: 20
Емкость коллектора (Cc), pf: 30
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXYA8N90C3D1
IXYA8N90C3D1 Datasheet (PDF)
..1. ixya8n90c3d1.pdf Size:336K _ixys
Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , 20N60C3R , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: NGTG15N60S1EG | NGTB40N65FL2WG | NGTB40N120L3WG | NGTB25N120FL3WG | NGTB15N60S1EG | NGTB15N135IHRWG | NGTB10N60R2DT4G | NGTB05N60R2DT4G | NGTB03N60R2DT4G | ISL9V5045S3ST-F085 | ISL9V5045S3