IXYA8N90C3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXYA8N90C3D1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 125
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 900
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 20
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 30
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 13.3
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IXYA8N90C3D1
IXYA8N90C3D1 Datasheet (PDF)
ixya8n90c3d1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Preliminary Technical Information900V XPTTM IGBTs VCES = 900VIXYA8N90C3D1GenX3TM w/Diode IC110 = 8AIXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-263 AA (IXYA)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsEVCES TJ = 25C to 175C 900 VC (Tab)VCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 900 VVGES Continuous 20 V
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
![IXYA8N90C3D1](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IXYA8N90C3D1](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IXYA8N90C3D1](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ