IXYA8N90C3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXYA8N90C3D1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXYA8N90C3D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 900 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 30 pF
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IXYA8N90C3D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXYA8N90C3D1

 ..1. Size:336K  ixys
 ixya8n90c3d1.pdf pdf_icon

IXYA8N90C3D1

Preliminary Technical Information 900V XPTTM IGBTs VCES = 900V IXYA8N90C3D1 GenX3TM w/Diode IC110 = 8A IXYP8N90C3D1 VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 130ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching TO-263 AA (IXYA) G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 900 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 900 V VGES Continuous 20 V

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top

 


 
.