F3L30R06W1E3_B11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L30R06W1E3_B11
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 150
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 45
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.55
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 12
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 300
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de F3L30R06W1E3_B11 - IGBT
F3L30R06W1E3_B11 Datasheet (PDF)
f3l30r06w1e3 b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L30R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCV = 600VCESI = 30A / I = 60AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikatione
f3l300r12mt4p-b23.pdf
F3L300R12MT4P_B23EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf
F3L300R12MT4P_B22EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12me4-b23.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L300R12ME4_B23IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L
f3l300r12me4 b23.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L300R12ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HE NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications
f3l300r12me4-b22.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12mt4 b22.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12me4 b22.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L300R12ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HE NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications
f3l300r12mt4-b22.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r07pe4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
f3l300r07pe4p.pdf
F3L300R07PE4PEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwe
f3l300r12mt4 b23.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12pt4 b26.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12PT4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
Otros transistores... MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , TGD30N40P , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB .
Liste
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