F3L30R06W1E3_B11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F3L30R06W1E3_B11 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS
Encapsulados: MODULE
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F3L30R06W1E3_B11 datasheet
f3l30r06w1e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L30R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikatione
f3l300r12mt4p-b23.pdf
F3L300R12MT4P_B23 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf
F3L300R12MT4P_B22 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12me4-b23.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L300R12ME4_B23 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L
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History: AOTF15B65MQ1
🌐 : EN ES РУ
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