F3L30R06W1E3_B11 Todos los transistores

 

F3L30R06W1E3_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F3L30R06W1E3_B11
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 45 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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F3L30R06W1E3_B11 datasheet

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F3L30R06W1E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L30R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikatione... See More ⇒

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F3L30R06W1E3_B11

F3L300R12MT4P_B23 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-... See More ⇒

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F3L30R06W1E3_B11

F3L300R12MT4P_B22 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-... See More ⇒

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F3L30R06W1E3_B11

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L300R12ME4_B23 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L... See More ⇒

Otros transistores... MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , NGD8201N , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB .

 

 
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