F3L30R06W1E3_B11 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: F3L30R06W1E3_B11
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 12
Тип корпуса: EASYPACK
Аналог (замена) для F3L30R06W1E3_B11
F3L30R06W1E3_B11 Datasheet (PDF)
f3l30r06w1e3 b11.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L30R06W1E3_B11IGBT-modulesEasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTCEasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTCV = 600VCESI = 30A / I = 60AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikatione
f3l300r12mt4-b22.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12mt4p-b23.pdf
F3L300R12MT4P_B23EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r07pe4p.pdf
F3L300R07PE4PEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /pre-applied Thermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwe
f3l300r07pe4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R07PE4IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und NTCEconoPACK4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
f3l300r12me4-b23.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulF3L300R12ME4_B23IGBT-ModuleEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
f3l300r12me4 b23.pdf
/ Technical InformationIGBT-F3L300R12ME4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HE NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12PT4_B26IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTCEconoPACK4 module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTCVorlufige Daten / Preliminary Data V = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications
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/ Technical InformationIGBT-F3L300R12ME4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 /IGBT4HE NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B23IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
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Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleF3L300R12MT4_B22IGBT-modulesEconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTCEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTCV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3
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F3L300R12MT4P_B22EconoDUAL3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialEconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC /pre-applied Thermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 300A / I = 600AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-
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Список транзисторов
Обновления
IGBT: JNG8T60FT1 | JNG80T60LS | JNG75T65HYU2 | JNG75T65HXU1 | JNG75T120QZU1 | JNG75T120QS1 | JNG75T120LS | JNG60T60HS | JNG5T65DS1 | JNG50N120QS1 | JNG50N120QFU1