F3L30R06W1E3_B11 - Аналоги. Основные параметры
Наименование: F3L30R06W1E3_B11
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 45 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L30R06W1E3_B11
Технические параметры F3L30R06W1E3_B11
f3l30r06w1e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L30R06W1E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC V = 600V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikatione
f3l300r12mt4p-b23.pdf
F3L300R12MT4P_B23 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12mt4p-b22.pdf
F3L300R12MT4P_B22 EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-
f3l300r12me4-b23.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L300R12ME4_B23 IGBT-Module EconoDUAL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC EconoDUAL 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC V = 1200V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-L
Другие IGBT... MMIX4B12N300 , NGD8205A , IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , NGD8201N , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet














