WGW15G120W - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WGW15G120W
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150
Tensión colector-emisor (Vce): 1200
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.4
Tensión emisor-compuerta (Veg): 20
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 60
Capacitancia de salida (Cc), pF: 880
Paquete / Caja (carcasa): TO247
Búsqueda de reemplazo de WGW15G120W - IGBT
WGW15G120W Datasheet (PDF)
..1. wgw15g120w.pdf Size:442K _winsemi
WGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) Clow Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverter Frequency converters In
5.1. wgw15g120n.pdf Size:433K _winsemi
WGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverterFrequency convertersI
Otros transistores... IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , GT30F131 , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: DGW75N65CTL1 | DGW60N65BTH | DGW50N65CTL1 | DGW50N65CTH | DGW50N65BTH | DGW40N65CTL | DGW40N65CTH | DGW40N65BTH | DGW40N120CTL | DGW40N120CTH0 | DGW40N120CTH