WGW15G120W Todos los transistores

 

WGW15G120W IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WGW15G120W
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 880 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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Principales características: WGW15G120W

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WGW15G120W

WGW15G120W WGW15G120W WGW15G120W WGW15G120W Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Features 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100 CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMI Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications General purpose inverter Frequency converters In

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WGW15G120W

WGW15G120N WGW15G120N WGW15G120N WGW15G120N Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Features 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100 CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMI Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications General purpose inverter Frequency converters I

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