WGW15G120W Todos los transistores

 

WGW15G120W - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WGW15G120W

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150

Tensión colector-emisor (Vce): 1200

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.4

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 60

Capacitancia de salida (Cc), pF: 880

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de WGW15G120W - IGBT

 

WGW15G120W Datasheet (PDF)

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WGW15G120W WGW15G120W WGW15G120W WGW15G120W Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Features ■ 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100℃ CE(sat) C ■ low Gate charge(Typ.= 85nC) ■ NPT Technology, Positive temperature coefficient ■ Low EMI ■ Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications ■ General purpose inverter ■ Frequency converters ■ In

1.2. wgw15g120n.pdf Size:433K _winsemi

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WGW15G120N WGW15G120N WGW15G120N WGW15G120N Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Low Loss IGBT Features ■ 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100℃ CE(sat) C ■ low Gate charge(Typ.= 85nC) ■ NPT Technology, Positive temperature coefficient ■ Low EMI ■ Pb-free lead plating; RoHS compliant Applications ■ General purpose inverter ■ Frequency converters ■ I

 

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