Справочник IGBT. WGW15G120W

 

WGW15G120W - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: WGW15G120W
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 880 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 85 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для WGW15G120W

 

 

WGW15G120W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:442K  winsemi
 wgw15g120w.pdf

WGW15G120W WGW15G120W

WGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WWGW15G120WLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) Clow Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverter Frequency converters In

 5.1. Size:433K  winsemi
 wgw15g120n.pdf

WGW15G120W WGW15G120W

WGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NWGW15G120NLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTLow Loss IGBTFeatures 15A,1200V,V (Typ.=2.4v)@I =15A & Tc=100CE(sat) C low Gate charge(Typ.= 85nC) NPT Technology, Positive temperature coefficient Low EMIPb-free lead plating; RoHS compliantApplications General purpose inverterFrequency convertersI

Другие IGBT... IXYA8N90C3D1 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , SGH80N60UFD , IRG4MC50U , MMIX4B20N300 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D .

 

 
Back to Top