IXYR50N120C3D1 Todos los transistores

 

IXYR50N120C3D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXYR50N120C3D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 230 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXYR50N120C3D1 datasheet

 ..1. Size:189K  ixys
 ixyr50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYR50N120C3D1

Advance Technical Information 1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYR50N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 32A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 43ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching ISOPLUS247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V V

Otros transistores... APT36GA60B , APT36GA60BD15 , APT36GA60S , APT36GA60SD15 , APT35GA90B , APT35GA90BD15 , APT35GA90S , APT35GA90SD15 , CRG40T60AN3H , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , CIF25P120P .

History: CIF25P120P | TSG25N120CN | APT50GT60SRG | IRG8P15N120KD | 100MT060WDF | APT15GT60BR

 

 

 

 

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