IXYR50N120C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYR50N120C3D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 56 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 230 pF
Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXYR50N120C3D1 - IGBT
IXYR50N120C3D1 Datasheet (PDF)
ixyr50n120c3d1.pdf
Advance Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYR50N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC90 = 32A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 43nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VV
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Liste
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