IXYR50N120C3D1 Todos los transistores

 

IXYR50N120C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYR50N120C3D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 56 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 230 pF
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
 

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IXYR50N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  ixys
 ixyr50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYR50N120C3D1

Advance Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYR50N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC90 = 32A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 43nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VV

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History: MMG400D170B6EN | BT25T120CKR | IQGB300N60I4 | IXXX300N60C3 | IXGH16N60C2D1 | STGW15H120DF2 | AOB10B65M1

 

 
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