IXYR50N120C3D1 Todos los transistores

 

IXYR50N120C3D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYR50N120C3D1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 290 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 56 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 62 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 230 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 142 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXYR50N120C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  ixys
 ixyr50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYR50N120C3D1

Advance Technical Information1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYR50N120C3D1GenX3TM w/ Diode IC90 = 32A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 43nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingISOPLUS247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous 20 VV

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: NGTB50N60FWG | SGT15U65SD1F | NGTB15N120IHR | RJH60M0DPQ-A0 | STGW28IH125DF | IXGH39N60B | TGAN60N65F2DR

 

 
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