IXYR50N120C3D1 - аналоги и описание IGBT

 

IXYR50N120C3D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXYR50N120C3D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 56 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF

Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXYR50N120C3D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXYR50N120C3D1 даташит

 ..1. Size:189K  ixys
 ixyr50n120c3d1.pdf pdf_icon

IXYR50N120C3D1

Advance Technical Information 1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYR50N120C3D1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 32A VCE(sat) 4.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 43ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching ISOPLUS247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V VGES Continuous 20 V V

Другие IGBT... APT36GA60B , APT36GA60BD15 , APT36GA60S , APT36GA60SD15 , APT35GA90B , APT35GA90BD15 , APT35GA90S , APT35GA90SD15 , CRG40T60AN3H , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , CIF25P120P .

History: AOK50B60D1 | GT60J323H | APT40GP60B2DQ2G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.