CIF25P120P IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CIF25P120P
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 313 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 450 pF
Encapsulados: TO247
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CIF25P120P datasheet
cif25p120p.pdf
CIF25P120P 25A1200V Planar NPT IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-247 High current capability. 0.201(5.10) High input impedance. 0.626(15.9) 0.193(4.90) 0.618(15.7) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CIF25P120PG. 0.083(2.1) 0.146(3.7) 0.075(1.9) MAX Mechanical data Marking code Epoxy
Otros transistores... IXYR50N120C3D1 , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , GT30F126 , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , TGH30N120FD , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S .
History: 100MT060WDF | IRG8P15N120KD | APT15GT60BR | TSG25N120CN | APT50GT60SRG
History: 100MT060WDF | IRG8P15N120KD | APT15GT60BR | TSG25N120CN | APT50GT60SRG
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