CIF25P120P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CIF25P120P
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 313 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 450 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de CIF25P120P IGBT
CIF25P120P Datasheet (PDF)
cif25p120p.pdf
CIF25P120P25A1200V Planar NPT IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-247 High current capability.0.201(5.10) High input impedance.0.626(15.9)0.193(4.90)0.618(15.7) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CIF25P120PG.0.083(2.1)0.146(3.7) 0.075(1.9)MAX Mechanical dataMarking code Epoxy :
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: SGW23N60UF
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