CIF25P120P - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CIF25P120P
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 313 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 52 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 450 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 220 nC
Paquete / Cubierta: TO247
- Selección de transistores por parámetros
CIF25P120P Datasheet (PDF)
cif25p120p.pdf
CIF25P120P25A1200V Planar NPT IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-247 High current capability.0.201(5.10) High input impedance.0.626(15.9)0.193(4.90)0.618(15.7) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CIF25P120PG.0.083(2.1)0.146(3.7) 0.075(1.9)MAX Mechanical dataMarking code Epoxy :
Otros transistores... IXYR50N120C3D1 , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , FGH60N60SFD , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , TGH30N120FD , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S .
History: FGH20N60UFD | AOK40B60D
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
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