Справочник IGBT. CIF25P120P

 

CIF25P120P Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CIF25P120P
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 450 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

CIF25P120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  citcorp
 cif25p120p.pdf pdf_icon

CIF25P120P

CIF25P120P25A1200V Planar NPT IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-247 High current capability.0.201(5.10) High input impedance.0.626(15.9)0.193(4.90)0.618(15.7) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CIF25P120PG.0.083(2.1)0.146(3.7) 0.075(1.9)MAX Mechanical dataMarking code Epoxy :

Другие IGBT... IXYR50N120C3D1 , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , FGH60N60SFD , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , TGH30N120FD , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S .

History: FGW30N120HD | MMG75S120B6TN | FGW50N60H | SGL40N150D | SGH15N120RUFD | IRG4PC30F | HGTG34N100E2

 

 
Back to Top

 


 
.