CIF25P120P - аналоги и описание IGBT

 

CIF25P120P - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: CIF25P120P

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 450 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CIF25P120P

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CIF25P120P даташит

 ..1. Size:425K  citcorp
 cif25p120p.pdf pdf_icon

CIF25P120P

CIF25P120P 25A1200V Planar NPT IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-247 High current capability. 0.201(5.10) High input impedance. 0.626(15.9) 0.193(4.90) 0.618(15.7) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CIF25P120PG. 0.083(2.1) 0.146(3.7) 0.075(1.9) MAX Mechanical data Marking code Epoxy

Другие IGBT... IXYR50N120C3D1 , APT33GF120BRG , RJH60F6BDPQ-A0 , AP50G60SW-HF , BSM100GAL120DLCK , TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , GT30F126 , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , TGH30N120FD , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S .

History: APT40GP60B2DQ2G | IRGS4620D | TSG40N120CE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.