Справочник IGBT. CIF25P120P

 

CIF25P120P - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CIF25P120P
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 52 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 450 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 220 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для CIF25P120P

 

 

CIF25P120P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  citcorp
 cif25p120p.pdf

CIF25P120P CIF25P120P

CIF25P120P25A1200V Planar NPT IGBT Features Outline Positive temperature Co-efficient for easy parallel operation. TO-247 High current capability.0.201(5.10) High input impedance.0.626(15.9)0.193(4.90)0.618(15.7) Suffix "G" indicates Halogen-free part, ex.CIF25P120PG.0.083(2.1)0.146(3.7) 0.075(1.9)MAX Mechanical dataMarking code Epoxy :

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top