TGH30N120FD IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGH30N120FD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 329 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
Encapsulados: TO247
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TGH30N120FD datasheet
tgh30n120fd.pdf
TGH30N120FD Field Stop Trench IGBT Features 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification Applications G C E Induction Heating, Soft switching application Device Package Marking Remark TGH30N120FD TO-247 TGH30N120FD RoHS Absolute
Otros transistores... TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , CIF25P120P , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , IKW75N60T , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S , APT43GA90SD30 .
History: APT45GP120JDQ2
History: APT45GP120JDQ2
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