TGH30N120FD Todos los transistores

 

TGH30N120FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TGH30N120FD
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 329 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 220 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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TGH30N120FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1042K  trinnotech
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TGH30N120FD

TGH30N120FDField Stop Trench IGBTFeatures: 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationApplications :G C EInduction Heating, Soft switching applicationDevice Package Marking RemarkTGH30N120FD TO-247 TGH30N120FD RoHSAbsolute

Otros transistores... TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , CIF25P120P , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , RJH30E2DPP , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S , APT43GA90SD30 .

History: IXGH50N60B4D1 | MG50Q2YS50 | APT12GT60BRG | MMG50W060XB6EN | CM1800HC-34H | AUIRG4PC40S-E | IXGX40N60BD1

 

 
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