TGH30N120FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGH30N120FD
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 329 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
Paquete / Cubierta: TO247
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TGH30N120FD Datasheet (PDF)
tgh30n120fd.pdf
TGH30N120FDField Stop Trench IGBTFeatures: 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationApplications :G C EInduction Heating, Soft switching applicationDevice Package Marking RemarkTGH30N120FD TO-247 TGH30N120FD RoHSAbsolute
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Liste
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