TGH30N120FD - аналоги и описание IGBT

 

TGH30N120FD - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TGH30N120FD

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 329 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для TGH30N120FD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGH30N120FD даташит

 ..1. Size:1042K  trinnotech
 tgh30n120fd.pdf pdf_icon

TGH30N120FD

TGH30N120FD Field Stop Trench IGBT Features 1200V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification Applications G C E Induction Heating, Soft switching application Device Package Marking Remark TGH30N120FD TO-247 TGH30N120FD RoHS Absolute

Другие IGBT... TGAN25N120ND , AOK50B60D1 , AOK40B60D , CIF25P120P , RJH60F7BDPQ-A0 , APT45GP120JDQ2 , APT50GP60JDQ2 , TGAN30N120FD , IKW75N60T , APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S , APT43GA90SD30 .

History: SRE50N065FSU | TA49014 | STGWA20M65DF2 | YGW40N120F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.