VS-EMG050J60N IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS-EMG050J60N
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 338 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 780 pF
Encapsulados: EMIPAK2
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VS-EMG050J60N datasheet
vs-emg050j60n.pdf
VS-EMG050J60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Dual Mode PFC, 60 A FEATURES NPT Warp2 PFC IGBT with low VCE(ON) Silicon carbide PFC diode Antiparallel FRED Pt fast recovery Integrated thermistor Square RBSOA Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductances EMIPAK2 Low switching loss Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DE
vs-emf050j60u.pdf
VS-EMF050J60U www.vishay.com Vishay Semiconductors 3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 60 A/57 A FEATURES Warp1 and Warp2 PFC IGBT FRED Pt and HEXFRED antiparallel diodes FRED Pt clamping diodes Integrated thermistor Square RBSOA EMIPAK2 Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductances PRODUCT SUMMARY Low switching loss 1 L
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