VS-EMG050J60N - аналоги и описание IGBT

 

VS-EMG050J60N - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-EMG050J60N

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 338 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 88 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF

Тип корпуса: EMIPAK2

 Аналог (замена) для VS-EMG050J60N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-EMG050J60N даташит

 ..1. Size:253K  vishay
 vs-emg050j60n.pdf pdf_icon

VS-EMG050J60N

VS-EMG050J60N www.vishay.com Vishay Semiconductors Dual Mode PFC, 60 A FEATURES NPT Warp2 PFC IGBT with low VCE(ON) Silicon carbide PFC diode Antiparallel FRED Pt fast recovery Integrated thermistor Square RBSOA Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductances EMIPAK2 Low switching loss Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC DE

 9.1. Size:279K  vishay
 vs-emf050j60u.pdf pdf_icon

VS-EMG050J60N

VS-EMF050J60U www.vishay.com Vishay Semiconductors 3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 60 A/57 A FEATURES Warp1 and Warp2 PFC IGBT FRED Pt and HEXFRED antiparallel diodes FRED Pt clamping diodes Integrated thermistor Square RBSOA EMIPAK2 Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductances PRODUCT SUMMARY Low switching loss 1 L

Другие IGBT... APT44GA60B , APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S , APT43GA90SD30 , IHW20N135R5 , VS-EMF050J60U , APT40GT60BRG , APT25GT120BRG , APT40GF120JRDQ2 , 70MT060WHTAPBF , TGAN60N60FD , APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.