VS-EMG050J60N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-EMG050J60N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 338 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 88 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 29 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
Тип корпуса: EMIPAK2
Аналог (замена) для VS-EMG050J60N
VS-EMG050J60N Datasheet (PDF)
vs-emg050j60n.pdf
VS-EMG050J60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsDual Mode PFC, 60 AFEATURES NPT Warp2 PFC IGBT with low VCE(ON) Silicon carbide PFC diode Antiparallel FRED Pt fast recovery Integrated thermistor Square RBSOA Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductancesEMIPAK2 Low switching loss Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDE
vs-emf050j60u.pdf
VS-EMF050J60Uwww.vishay.comVishay Semiconductors3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 60 A/57 AFEATURES Warp1 and Warp2 PFC IGBT FRED Pt and HEXFRED antiparallel diodes FRED Pt clamping diodes Integrated thermistor Square RBSOAEMIPAK2 Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductancesPRODUCT SUMMARY Low switching loss1 L
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2