VS-EMF050J60U Todos los transistores

 

VS-EMF050J60U - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS-EMF050J60U
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 338 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 88 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 46 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 780 pF
   Paquete / Cubierta: EMIPAK2
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS-EMF050J60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  vishay
 vs-emf050j60u.pdf pdf_icon

VS-EMF050J60U

VS-EMF050J60Uwww.vishay.comVishay Semiconductors3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 60 A/57 AFEATURES Warp1 and Warp2 PFC IGBT FRED Pt and HEXFRED antiparallel diodes FRED Pt clamping diodes Integrated thermistor Square RBSOAEMIPAK2 Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductancesPRODUCT SUMMARY Low switching loss1 L

 9.1. Size:253K  vishay
 vs-emg050j60n.pdf pdf_icon

VS-EMF050J60U

VS-EMG050J60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsDual Mode PFC, 60 AFEATURES NPT Warp2 PFC IGBT with low VCE(ON) Silicon carbide PFC diode Antiparallel FRED Pt fast recovery Integrated thermistor Square RBSOA Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductancesEMIPAK2 Low switching loss Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDE

Otros transistores... APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S , APT43GA90SD30 , VS-EMG050J60N , SGT40N60FD2PN , APT40GT60BRG , APT25GT120BRG , APT40GF120JRDQ2 , 70MT060WHTAPBF , TGAN60N60FD , APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G , APT60GT60JRDQ3 .

History: IRG4PSC71UD | STGWA19NC60HD | STGW20NB60H | DGC50F65M2 | IXGX82N120B3 | SGW50N60HS | NGTG50N60FWG

 

 
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