Справочник IGBT. VS-EMF050J60U

 

VS-EMF050J60U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-EMF050J60U
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 338 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 88 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
   Тип корпуса: EMIPAK2
 

 Аналог (замена) для VS-EMF050J60U

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-EMF050J60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  vishay
 vs-emf050j60u.pdf pdf_icon

VS-EMF050J60U

VS-EMF050J60Uwww.vishay.comVishay Semiconductors3-Levels Half-Bridge Inverter Stage, 60 A/57 AFEATURES Warp1 and Warp2 PFC IGBT FRED Pt and HEXFRED antiparallel diodes FRED Pt clamping diodes Integrated thermistor Square RBSOAEMIPAK2 Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductancesPRODUCT SUMMARY Low switching loss1 L

 9.1. Size:253K  vishay
 vs-emg050j60n.pdf pdf_icon

VS-EMF050J60U

VS-EMG050J60Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsDual Mode PFC, 60 AFEATURES NPT Warp2 PFC IGBT with low VCE(ON) Silicon carbide PFC diode Antiparallel FRED Pt fast recovery Integrated thermistor Square RBSOA Operating frequency 60 kHz to 150 kHz Low internal inductancesEMIPAK2 Low switching loss Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDE

Другие IGBT... APT44GA60BD30 , APT44GA60S , APT44GA60SD30 , APT43GA90B , APT43GA90BD30 , APT43GA90S , APT43GA90SD30 , VS-EMG050J60N , YGW60N65F1A1 , APT40GT60BRG , APT25GT120BRG , APT40GF120JRDQ2 , 70MT060WHTAPBF , TGAN60N60FD , APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G , APT60GT60JRDQ3 .

History: IGW75N65H5 | IXGH10N170A | MG12225WB-BN2MM

 

 
Back to Top

 


 
.