TGAN60N60FD Todos los transistores

 

TGAN60N60FD - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TGAN60N60FD

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 347

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.8

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 120

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 125

Capacitancia de salida (Cc), pF: 170

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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TGAN60N60FD Datasheet (PDF)

..1. tgan60n60fd.pdf Size:1102K _trinnotech

TGAN60N60FD TGAN60N60FD

TGAN60N60FDField Stop Trench IGBTFeatures: 600V Field Stop Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation RoHS Compliant JEDEC QualificationECGApplications :Induction Heating, Soft Switching Application, UPS, Welder, InverterDevice Package Marking RemarkTGAN60N60FD TO-3PN TG

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