MPMB50B120RH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPMB50B120RH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 416 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 85 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 370 pF
Encapsulados: 7DM1
Búsqueda de reemplazo de MPMB50B120RH IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
MPMB50B120RH datasheet
mpmb50b120rh.pdf
MPMB50B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features BV = 1200V MagnaChip s IGBT Module 7DM-1 package CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type Pac
Otros transistores... APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G , APT60GT60JRDQ3 , APT75GN120J , APT54GA60B , APT54GA60BD30 , APT54GA60S , APT54GA60SD30 , IKW50N60H3 , APT50GT60BRDLG , APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100