MPMB50B120RH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPMB50B120RH
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 416
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 75
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.7
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 85
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 370
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 220
Paquete / Cubierta: 7DM1
Búsqueda de reemplazo de MPMB50B120RH - IGBT
MPMB50B120RH Datasheet (PDF)
mpmb50b120rh.pdf
MPMB50B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features BV = 1200V MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type Pac
Otros transistores... APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G , APT60GT60JRDQ3 , APT75GN120J , APT54GA60B , APT54GA60BD30 , APT54GA60S , APT54GA60SD30 , MBQ40T65FDSC , APT50GT60BRDLG , APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ