Справочник IGBT. MPMB50B120RH

 

MPMB50B120RH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMB50B120RH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 370 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 220 nC
   Тип корпуса: 7DM1

 Аналог (замена) для MPMB50B120RH

 

 

MPMB50B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  magnachip
 mpmb50b120rh.pdf

MPMB50B120RH MPMB50B120RH

MPMB50B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features BV = 1200V MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type Pac

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top