Справочник IGBT. MPMB50B120RH

 

MPMB50B120RH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMB50B120RH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 416
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.7
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 85
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 370
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 220
   Тип корпуса: 7DM1

 Аналог (замена) для MPMB50B120RH

 

 

MPMB50B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  magnachip
 mpmb50b120rh.pdf

MPMB50B120RH MPMB50B120RH

MPMB50B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features BV = 1200V MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type Pac

Другие IGBT... APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G , APT60GT60JRDQ3 , APT75GN120J , APT54GA60B , APT54GA60BD30 , APT54GA60S , APT54GA60SD30 , MBQ40T65FDSC , APT50GT60BRDLG , APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG .

 

 
Back to Top