MPMB50B120RH - аналоги и описание IGBT

 

MPMB50B120RH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPMB50B120RH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 85 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 370 pF

Тип корпуса: 7DM1

 Аналог (замена) для MPMB50B120RH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMB50B120RH даташит

 ..1. Size:1004K  magnachip
 mpmb50b120rh.pdf pdf_icon

MPMB50B120RH

MPMB50B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features BV = 1200V MagnaChip s IGBT Module 7DM-1 package CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type Pac

Другие IGBT... APT35GN120BG , APT35GN120L2DQ2G , APT60GT60JRDQ3 , APT75GN120J , APT54GA60B , APT54GA60BD30 , APT54GA60S , APT54GA60SD30 , IKW50N60H3 , APT50GT60BRDLG , APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG .

History: IKW50N65WR5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.