TGL60N100ND1 Todos los transistores

 

TGL60N100ND1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TGL60N100ND1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 463 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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TGL60N100ND1 Datasheet (PDF)

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TGL60N100ND1

TGL60N100ND1NPT trench IGBTFeatures: 1000V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationApplications :G C EInduction Heating, Soft switching applicationDevice Package Marking RemarkTGL60N100ND1 TO-264 TGL60N100ND1 RoHSAbsolute Maximum Ra

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History: SPT40N120T1B1 | HGTG34N100E2 | IXGH28N30A | NGTB40N60FLWG | IXYH20N65B3 | IRGP4262D

 

 
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