TGL60N100ND1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TGL60N100ND1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 463 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de TGL60N100ND1 IGBT
TGL60N100ND1 Datasheet (PDF)
tgl60n100nd1.pdf
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