TGL60N100ND1 Todos los transistores

 

TGL60N100ND1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TGL60N100ND1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 463 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 210 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 150 pF

Encapsulados: TO264

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TGL60N100ND1 datasheet

 ..1. Size:1023K  trinnotech
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TGL60N100ND1

TGL60N100ND1 NPT trench IGBT Features 1000V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification Applications G C E Induction Heating, Soft switching application Device Package Marking Remark TGL60N100ND1 TO-264 TGL60N100ND1 RoHS Absolute Maximum Ra

Otros transistores... APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG , APT30GP60BG , TGAN60N60F2DS , APT64GA90B , APT64GA90B2D30 , APT64GA90LD30 , APT64GA90S , APT100GN60B2G , APT100GT60JRDL , APT100GT60JRDQ4 , APT60GT60BRG .

History: APT30GT60BR | APT15GT60KR | IKP20N65F5 | APT15GP90KG | APT40GP60B2DQ2G | BSM100GAL120DLCK | APT32GU30B

 

 

 

 

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