TGL60N100ND1 - аналоги и описание IGBT

 

TGL60N100ND1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TGL60N100ND1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для TGL60N100ND1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGL60N100ND1 даташит

 ..1. Size:1023K  trinnotech
 tgl60n100nd1.pdf pdf_icon

TGL60N100ND1

TGL60N100ND1 NPT trench IGBT Features 1000V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC Qualification Applications G C E Induction Heating, Soft switching application Device Package Marking Remark TGL60N100ND1 TO-264 TGL60N100ND1 RoHS Absolute Maximum Ra

Другие IGBT... APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG , APT30GP60BG , TGAN60N60F2DS , APT64GA90B , APT64GA90B2D30 , APT64GA90LD30 , APT64GA90S , APT100GN60B2G , APT100GT60JRDL , APT100GT60JRDQ4 , APT60GT60BRG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.