Справочник IGBT. TGL60N100ND1

 

TGL60N100ND1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGL60N100ND1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 270 nC
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для TGL60N100ND1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGL60N100ND1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1023K  trinnotech
 tgl60n100nd1.pdf pdf_icon

TGL60N100ND1

TGL60N100ND1NPT trench IGBTFeatures: 1000V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationApplications :G C EInduction Heating, Soft switching applicationDevice Package Marking RemarkTGL60N100ND1 TO-264 TGL60N100ND1 RoHSAbsolute Maximum Ra

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SKM200GAR123D | IXSH20N60U1

 

 
Back to Top

 


 
.