Справочник IGBT. TGL60N100ND1

 

TGL60N100ND1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TGL60N100ND1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 463 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 210 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO264
 

 Аналог (замена) для TGL60N100ND1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TGL60N100ND1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1023K  trinnotech
 tgl60n100nd1.pdf pdf_icon

TGL60N100ND1

TGL60N100ND1NPT trench IGBTFeatures: 1000V NPT Trench Technology High Speed Switching Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy parallel Operation RoHS compliant JEDEC QualificationApplications :G C EInduction Heating, Soft switching applicationDevice Package Marking RemarkTGL60N100ND1 TO-264 TGL60N100ND1 RoHSAbsolute Maximum Ra

Другие IGBT... APT50GT60BRDQ2G , APT50GT60BRG , APT50GT60SRG , APT100GN120J , APT80GP60JDQ3 , 100MT060WDF , APT30GN60SG , APT30GP60BG , RJH60F5DPQ-A0 , APT64GA90B , APT64GA90B2D30 , APT64GA90LD30 , APT64GA90S , APT100GN60B2G , APT100GT60JRDL , APT100GT60JRDQ4 , APT60GT60BRG .

History: DIM1000XSM33-TS001

 

 
Back to Top

 


 
.