MPMB75B120RH Todos los transistores

 

MPMB75B120RH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPMB75B120RH
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 444 pF
   Paquete / Cubierta: 7DM1
     - Selección de transistores por parámetros

 

MPMB75B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  magnachip
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MPMB75B120RH

MPMB75B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type

Otros transistores... APT80GA60S , APT45GP120B2DQ2G , APT45GP120BG , APT80GA90B , APT80GA90LD40 , APT80GA90S , APT50GP60BG , APT50GP60SG , GT50JR22 , APT50GT120B2RDQ2G , APT50GT120B2RG , MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 .

History: 2MBI100VA-120-50 | MMG150S060B6EN | STGE50NC60WD | 2MBI200TA-060 | AOB15B65MQ1 | MMG75J120UZ | IXGH24N170AH1

 

 
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