MPMB75B120RH Todos los transistores

 

MPMB75B120RH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPMB75B120RH

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 444 pF

Encapsulados: 7DM1

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MPMB75B120RH datasheet

 ..1. Size:1159K  magnachip
 mpmb75b120rh.pdf pdf_icon

MPMB75B120RH

MPMB75B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type

Otros transistores... APT80GA60S , APT45GP120B2DQ2G , APT45GP120BG , APT80GA90B , APT80GA90LD40 , APT80GA90S , APT50GP60BG , APT50GP60SG , GT30J124 , APT50GT120B2RDQ2G , APT50GT120B2RG , MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 .

History: KGF15N120NDS | APT50GP60SG | APT75GP120JDQ3 | APT45GP120BG | APT50GN120L2DQ2G | APT50GT120B2RG | GT50J341

 

 

 

 

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