MPMB75B120RH - аналоги и описание IGBT

 

MPMB75B120RH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPMB75B120RH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 444 pF

Тип корпуса: 7DM1

 Аналог (замена) для MPMB75B120RH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMB75B120RH даташит

 ..1. Size:1159K  magnachip
 mpmb75b120rh.pdf pdf_icon

MPMB75B120RH

MPMB75B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type

Другие IGBT... APT80GA60S , APT45GP120B2DQ2G , APT45GP120BG , APT80GA90B , APT80GA90LD40 , APT80GA90S , APT50GP60BG , APT50GP60SG , GT30J124 , APT50GT120B2RDQ2G , APT50GT120B2RG , MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 .

History: APT50GT120B2RG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.