Справочник IGBT. MPMB75B120RH

 

MPMB75B120RH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMB75B120RH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 444 pF
   Тип корпуса: 7DM1
 

 Аналог (замена) для MPMB75B120RH

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMB75B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1159K  magnachip
 mpmb75b120rh.pdf pdf_icon

MPMB75B120RH

MPMB75B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 switching noise in high frequency power Isolation Type

Другие IGBT... APT80GA60S , APT45GP120B2DQ2G , APT45GP120BG , APT80GA90B , APT80GA90LD40 , APT80GA90S , APT50GP60BG , APT50GP60SG , FGH40N60SFD , APT50GT120B2RDQ2G , APT50GT120B2RG , MPMB100B120RH , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 .

 

 
Back to Top

 


 
.