MPMB100B120RH Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPMB100B120RH  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 625 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 518 pF

Encapsulados: 7DM-1

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MPMB100B120RH datasheet

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MPMB100B120RH

MPMB100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type

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