Справочник IGBT. MPMB100B120RH

 

MPMB100B120RH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMB100B120RH
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 518 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 400 nC
   Тип корпуса: 7DM-1

 Аналог (замена) для MPMB100B120RH

 

 

MPMB100B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  magnachip
 mpmb100b120rh.pdf

MPMB100B120RH MPMB100B120RH

MPMB100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Type

Другие IGBT... APT80GA90B , APT80GA90LD40 , APT80GA90S , APT50GP60BG , APT50GP60SG , MPMB75B120RH , APT50GT120B2RDQ2G , APT50GT120B2RG , MBQ60T65PES , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH .

 

 
Back to Top