Справочник IGBT. MPMB100B120RH

 

MPMB100B120RH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPMB100B120RH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 518 pF
   Тип корпуса: 7DM-1
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MPMB100B120RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  magnachip
 mpmb100b120rh.pdf pdf_icon

MPMB100B120RH

MPMB100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChips IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss : V = 2.8V (typ.) CE(sat)devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated : Min. 10us at TC=100 Isolation Type

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4

 

 
Back to Top

 


 
.