MPMB100B120RH - аналоги и описание IGBT

 

MPMB100B120RH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPMB100B120RH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 518 pF

Тип корпуса: 7DM-1

 Аналог (замена) для MPMB100B120RH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPMB100B120RH даташит

 ..1. Size:1190K  magnachip
 mpmb100b120rh.pdf pdf_icon

MPMB100B120RH

MPMB100B120RH NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module General Description Features MagnaChip s IGBT Module 7DM-1 package BV = 1200V CES Low Conduction Loss V = 2.8V (typ.) CE(sat) devices are optimized to reduce losses and Fast & Soft Anti-Parallel FWD switching noise in high frequency power Short circuit rated Min. 10us at TC=100 Isolation Type

Другие IGBT... APT80GA90B , APT80GA90LD40 , APT80GA90S , APT50GP60BG , APT50GP60SG , MPMB75B120RH , APT50GT120B2RDQ2G , APT50GT120B2RG , FGD4536 , APT150GN120J , APT60GF120JRDQ3 , APT100GN60LDQ4G , 1MBI300N-120 , IXYX140N90C3 , 1MBI200N-120 , IXYX120N120C3 , MPMD200B120RH .

History: TGL60N100ND1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.